一种宽光谱单像素InGaAs探测器及制作方法

本发明涉及一种宽光谱单像素InGaAs探测器及制作方法，它包括基板、铟柱与单像素光敏芯片；铟柱用于连接基板与单像素光敏芯片；基板靠近铟柱的一侧有线状金属薄膜，用于引出光生电学信号，部分铟柱位于金属薄膜之上；铟柱上方为单像素光敏芯片，从下至上依次包括，n电极/p电极、p层、吸收层、n层。本发明采用了将多个单像素光敏芯片组成的阵列作为一个整体与基板进行铟柱焊接，然后对单像素光敏芯片和基板分别进行腐蚀和机械划片的方法实现物理分离，得到单像素InGaAs探测器。该结构的单像素InGaAs探测器，既实现了可见光的高响应率，拓宽了可见光响应光谱，又具有高的可靠性。