摘要
本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种防溢胶的DFN引线框架及其制备方法。S1、框架原材料预处理;S2、使用滚轮压合将光刻胶涂满框架材料表面;S3、采用设有镂空槽的光罩掩膜版对光刻胶层进行UV光照射曝光,形成对应图案;S4、使用碳酸钠溶液将框架材料上受到曝光的光刻胶层溶解,然后水洗除去残留物,最后烘烤固化;S5、使用氯化铜蚀刻液浸泡框架材料6分钟后取出,实现对框架材料上未附着光刻胶的区域进行蚀刻,然后清洗去除残留液体,重复该步骤3次;同现有技术相比,通过引线框架设计开槽,减轻制程中造成的芯脚区域形变,增强后期与树脂结合的可靠性,有效解决传统DFN引线框架在出现的溢胶问题,提高产品性能。
技术关键词
氯化铜蚀刻液
光刻胶层
框架单元
DFN引线框架
引线框架设计
碳酸钠
芯片封装技术
UV光
光罩
保护胶带
掩膜
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