图像传感器的制造方法及图像传感器

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图像传感器的制造方法及图像传感器
申请号:CN202510697278
申请日期:2025-05-28
公开号:CN120224803B
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种图像传感器的制造方法及图像传感器,图像传感器的制造方法,包括如下步骤:提供光电传感装置,所述光电传感装置包括光电芯片、用于承载光电芯片的基板以及电性连接于光电芯片的焊盘;于基板的入光侧沉积纳米结构层,对纳米结构层进行第一次刻蚀后,以使纳米结构层至少覆盖于光电芯片的入光侧;对纳米结构层进行第二次刻蚀后,在光电芯片的入光侧形成超表面;通过在基板的入光侧沉积纳米结构层,并对纳米结构层进行两次刻蚀,以完成超表面的制作,从而无需在由光刻胶层所形成的窗口内进行纳米结构层的沉积,解除沉积的工艺温度所受到的限制,避免纳米结构层的材料选择受到限制。
技术关键词
光电芯片 图像传感器 光电传感装置 超表面 光刻胶层 纳米 像素单元 掩膜 基板 无机非金属材料 介质 光栅 透镜
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