一种半导体芯片虚拟产线仿真系统

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一种半导体芯片虚拟产线仿真系统
申请号:CN202511182180
申请日期:2025-08-22
公开号:CN120974993A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本方案公开了一种半导体芯片虚拟产线仿真系统,包括设备模块和过程模块,设备模块包括刻蚀模块、沉积模块、涂胶模块、光刻模块、清洗模块、去胶模块、离子注入模块、快速热处理模块、热氧化模块及CMP模块;过程模块包括选择模块、细节模块、参数填充模块和展示模块,设备模块均包括所有过程模块,设备模块模拟半导体芯片的完整生产仿真,过程模块用于教学实践;刻蚀模块通过引入等离子体密度、频率、德拜长度、泊松方程电势分布等模型对刻蚀工艺进行建模仿真,并通过修正项补偿的方式增强模型的仿真还原能力;沉积模块对沉积行为进行建模,引入修正项补偿非理想因素,提升模型对非理想工艺环境的适应能力,呈现晶圆在不同工艺参数下的生产效果。
技术关键词
半导体芯片 仿真系统 LPCVD设备 物理气相沉积PVD设备 参数 PECVD设备 产线 去胶模块 离子注入机 晶圆 去胶机 刻蚀气体 光刻机 涂胶机 刻蚀形貌 动态磁场 清洗机
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