一种基于SiC MOSFET的固态功率控制器及其控制方法

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推荐专利
一种基于SiC MOSFET的固态功率控制器及其控制方法
申请号:CN202511184898
申请日期:2025-08-22
公开号:CN120956067A
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种基于SiC MOSFET的固态功率控制器及其控制方法,属于高压直流智能配电领域,包括用于输出控制信号的控制电路,以及功率电路;所述控制电路包括隔离驱动单元、电源隔离及控制变换单元;所述功率电路包括预充电电路和双开关Boost电路;双开关Boost电路包括第一、第二SiC MOSFET电路;在所述控制信号作用下,所述预充电电路在所述功率电路启动时为负载供电,启动之后所述第二SiC MOSFET电路单独导通或与第一SiC MOSFET电路交替导通,用于对连接在双开关Boost电路正、负输出端之间的负载供电。实现了一种高效且稳定可靠的固态功率控制器。
技术关键词
固态功率控制器 Boost电路 米勒钳位电路 功率电路 饱和检测电路 驱动芯片 供电单元 控制电路 双开关 电阻 驱动单元 电压 信号 储能单元 控制预充电电路 主控单元 电路导通时间 栅极
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沪ICP备2023015588号