TMBS芯片的有源区元胞、TMBS芯片及电路结构

本发明提供了一种TMBS芯片的有源区元胞、TMBS芯片及电路结构，涉及TMBS芯片技术领域。使用了沟槽型肖特基与MOS二极管并联结构，其中沟槽型肖特基的正向开启电压约0.4V左右，MOS二极管的开启电压约0.2V左右。当该二极管芯片正向偏置时，P型掺杂区靠近栅氧结构一侧会感生n型导电沟道，电子从漏极通过感生的n型导电沟道流向漏极，实现低电压优先开启，完美地解决了肖特基二极管开启电压相对偏高的问题，大大降低了二极管正向压降。而在正向大电流工况下，当正向压降大于0.4V时，与MOS二极管并联的肖特基二极管正向开启，进一步拓展了电流通路，增强过流能力，进而使芯片具有超低正向压降的特性。