实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构及封装方法

本发明公开了一种实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构及封装方法，该方法先在驱动芯片外封装第一塑封层，依次制作第一钝化层、重布线层、第二钝化层，并在第二钝化层上制作高铜柱，用正装或倒装将霍尔芯片贴装于第二钝化层实现芯片的异质集成，在第二钝化层上形成包裹高铜柱和霍尔芯片的第二塑封层，然后减薄第二塑封层至高铜柱的端面露出，在第二塑封层上制作第三钝化层和类QFN长方形焊盘，焊盘超出芯片边界电镀至划片道处，最后对整体晶圆背面磨片至驱动芯片背面露出利于散热，控制结构整体厚度为300μm。本发明实现了传统QFN能以实现的超薄封装厚度，有效提高了芯片的传统封装密度，解决了现有技术中芯片散热性不足的问题。