摘要
本发明提供了一种半导体器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域。本发明中半导体器件包括衬底和形成在衬底上的多个芯片。衬底具有至少一个划片道,每个划片道位于相邻两个芯片之间,划片道的宽度由上至下逐渐变大,在切割过程中,刀具不会与划片道的侧壁接触,可以降低刀具对芯片或划片道侧壁的损伤风险,并且可以防止侧壁切口挂渣,影响芯片功能。另外,还可以防止切割碎屑和挂渣随刀具被带出划片道污染芯片,影响芯片良率。
技术关键词
刻蚀工艺
深硅刻蚀方法
钝化工艺
衬底
芯片
划片道区域
半导体器件技术
氧化硅
刻蚀气体
光刻工艺
刀具
光刻胶
良率
碎屑
风险
系统为您推荐了相关专利信息
信号强度差值
智能卡读写方法
射频
波形畸变率
定向天线阵列
列车状态显示装置
城市轨道交通车辆
LM317芯片
试灯按钮
集成式电路板
接口芯片
开关量输出电路
上拉电路
分压电路
电源芯片
上行授权信息
人工智能AI模型
通信控制方法
计算机执行指令
物理上行共享信道