一种半导体器件及其制备方法

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一种半导体器件及其制备方法
申请号:CN202511221893
申请日期:2025-08-28
公开号:CN120914168A
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种半导体器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域。本发明中半导体器件包括衬底和形成在衬底上的多个芯片。衬底具有至少一个划片道,每个划片道位于相邻两个芯片之间,划片道的宽度由上至下逐渐变大,在切割过程中,刀具不会与划片道的侧壁接触,可以降低刀具对芯片或划片道侧壁的损伤风险,并且可以防止侧壁切口挂渣,影响芯片功能。另外,还可以防止切割碎屑和挂渣随刀具被带出划片道污染芯片,影响芯片良率。
技术关键词
刻蚀工艺 深硅刻蚀方法 钝化工艺 衬底 芯片 划片道区域 半导体器件技术 氧化硅 刻蚀气体 光刻工艺 刀具 光刻胶 良率 碎屑 风险
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