一种光学芯片结构及其制备方法

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一种光学芯片结构及其制备方法
申请号:CN202510463936
申请日期:2025-04-14
公开号:CN120386109A
公开日期:2025-07-29
类型:发明专利
摘要
本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种光学芯片结构及其制备方法。该光学芯片结构包括支撑衬底,位于支撑衬底一侧表面的第一隔离层,位于第一隔离层的远离支撑衬底一侧表面的光电薄膜层,光电薄膜层设置有至少一个第一区域和第二区域,第一区域形成有脊形波导结构,第一区域的电阻高于第二区域的电阻,第二区域的低电阻能够及时传导由于光电薄膜层的光折变效应或光生伏特效应所产生的电荷,避免了由于单晶薄膜内及单晶薄膜界面处产生非均匀电场导致电光调制器出现偏置点随时间变化的问题,同时第一区域的高电阻保证了薄膜层的透光率,第一区域形成的脊形波导结构降低了结构的光损耗。
技术关键词
芯片结构 脊形波导结构 薄膜层 光电 衬底 阻挡层 单晶薄膜 电阻 非均匀电场 基底 电光调制器 多晶硅 三氧化二铝 电极结构 钛酸钡 非晶硅 二氧化硅 单晶硅 透光率
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