摘要
本发明属于高集成度SOC芯片领域,公开了一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法、装置及电子设备,包括:获取预先生成的DDR颗粒刷新率与温度的映射关系表;通过DDR驱动调用SOC芯片的DDR控制器,获取当前DDR颗粒刷新率;基于映射关系表中DDR颗粒刷新率与温度的映射关系,确定当前DDR颗粒刷新率对应的温度,作为DDR内存的第一温度;从SOC芯片中的温度传感器获取SOC芯片的第二温度;基于第一温度和第二温度,确定应采取的温度调控策略,并根据温度调控策略执行DDR内存与SOC芯片的整体温度调控操作。本发明有效降低DDR内存与SOC芯片的整体温度,进而降低DDR内存与SOC芯片的整体功耗。
技术关键词
SOC芯片
刷新率
内存
调控策略
映射关系表
DDR控制器
温度传感器
建立映射关系
控制器接口
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电子设备
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