一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片

本发明公开一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片，所述制备方法包括：提供一衬底，将衬底放入MOCVD设备的石墨盘上，然后通入反应气体，生长外延层；在生长外延层时，在MOCVD设备的区域气流补偿管道通入的气体包括NH3，通过减少区域气流补偿管道的NH3流量通入，来减少预反应的产生，进而提高外延片内圈和外圈的亮度及电性一致性。