半导体晶圆生产缺陷检测方法、装置、设备及存储介质

本发明涉及半导体领域，公开了半导体晶圆生产缺陷检测方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：首先获取待检测半导体晶圆生产图片并输入当前目标检测模型，输出缺陷类型和缺陷概率，若缺陷概率低于检测成功阈值，标记为低置信度样本存入预备优化数据库，低置信度样本预标注后获取与低置信度样本对应的修正样本，当修正样本量超过预设训练数据量时，构建优化训练集对当前模型优化训练，得到优化检测模型，随后用测试数据评估其是否合格，合格则替代当前模型，最后将新图片输入优化模型，输出对应的缺陷类型和概率，使用持续迭代优化的检测模型检测待检测半导体晶圆的生产缺陷，能够提高缺陷识别准确性。