多物理场耦合的SGT MOS可靠性分析平台及方法

本申请提供了多物理场耦合的SGT MOS可靠性分析平台及方法，涉及半导体技术领域，所述平台包括：结构层拆分模块，对SGT MOS器件进行结构层拆分；独立系数矩阵构建模块，导入每个物理场下损伤状态样本数据；耦合物理场定义模块，定义耦合物理场；耦合系数矩阵构建模块，导入耦合物理场下联合损伤状态样本数据；可靠性计算模块，根据独立影响系数矩阵和耦合影响系数矩阵构建可靠性计算模块，输出第一可靠性计算结果。通过本申请可以解决现有技术中由于忽略了多个物理场之间的耦合效应，导致SGT MOS可靠性评估的准确性较低的技术问题，通过独立影响分析和耦合影响分析，提高了可靠性评估的准确性。