用于CoolMOS器件的动态损耗检测方法及系统

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推荐专利
用于CoolMOS器件的动态损耗检测方法及系统
申请号:CN202511324822
申请日期:2025-09-17
公开号:CN120820769A
公开日期:2025-10-21
类型:发明专利
摘要
本发明提供了用于CoolMOS器件的动态损耗检测方法及系统,涉及半导体器件技术领域,包括:根据搭载设备ID检索历史使用场景,并通过聚合得到多个标准测试场景;进行关联性扰动组合,得到中间态测试场景阵列;在进行待检测搭载设备中CoolMOS器件的响应延迟测试后,根据测试结果局域激活中间态测试场景阵列,在待检测搭载设备进行CoolMOS器件的动态损耗测试,输出中间态多元损耗轨迹;进行时空演化建模,输出动态损耗云图。本发明解决了现有技术多依赖于固定测试方法和固定测试场景,不能全面反映CoolMOS器件在实际工作条件下的损耗特性,导致损耗检测结果的真实性、全面性不足的技术问题。
技术关键词
测试场景 损耗检测方法 特征提取模型 工况特征 序列 动态特征提取 轨迹 特征设备 阵列 局域 损耗检测系统 切片 有效值 半导体器件技术 电流 电气
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