一種電流阻擋層的製備方法及LED芯片

本申請公開了一種電流阻擋層的製備方法及LED芯片，製備方法包括：採用第一PECVD製程在襯底上製作第一SiO 2薄膜；原位採用第二PECVD製程在第一SiO 2薄膜的表面沉積第二SiO 2薄膜；其中，第一PECVD製程採用高頻的射頻功率，第二PECVD製程採用高頻-低頻雙頻的射頻功率，且第一PECVD製程採用的高頻的射頻功率低於第二PECVD製程採用的高頻的射頻功率。本申請製作的電流阻擋層具有較高的絕緣性和緻密性，還可以避免對P型半導體層造成損傷。