具有ＩＩＩ－Ｖ族化合物的半導體裝置

本發明公開了一種半導體裝置，包括基板、在基板上方的異質結結構、第一閘電極、第二閘電極、源電極、第一汲電極、以及第二汲電極。所述異質結結構由兩個III-V族化合物層形成。第一閘電極澱積在兩個III-V族化合物層上方，且電連接至第一閘極端子。第二閘電極澱積在兩個III-V族化合物層上方，且電連接至第二閘極端子。源電極澱積在異質結結構上方且電連接至源極端子。第一汲電極澱積在異質結結構上方且電連接至汲極端子。第二汲電極澱積在異質結結構上方且電連接至第一閘極端子。第一閘電極位於源電極和第一汲電極之間，第二閘電極位於源電極和第二汲電極之間。