半導體裝置及其製造方法

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半導體裝置及其製造方法
申请号:TW113146355
申请日期:2024-11-29
公开号:TWI908506B
公开日期:2025-12-11
类型:发明专利
摘要
本發明提供了一種使用片上全光交換網絡(All-Photonic switching Network on-Chip,APNoC)模組實現互連的半導體裝置及其製造方法。半導體裝置包括:電路板,具有多條電連接路徑;片上全光交換網絡模組,設置在電路板上,片上全光交換網絡模組包括光子芯片和設置在光子芯片上方的多個收發用類比電芯片,光子芯片包括與多個收發用類比電芯片對應通信連接的多個通信節點、多條光連接路徑和至少一個片上光交換機,片上光交換機被配置成能夠改變多個通信節點之間的連接拓撲;多個計算模組,其設置在電路板上,並且通過電路板上的電連接路徑與片上全光交換網絡模組的多個收發用類比電芯片對應通信連接,使得多個計算模組之間的連接拓撲能夠由片上光交換機改變。
技术关键词
光子芯片 插接口 光功率 耦合器 模版 光罩 光源
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