超薄高密度矽電容器與扇出型封裝玻璃基板之組合

該新型描述了超薄高密度矽電容器 (Ultra-Thin High-Density Silicon Capacitors, UTHDSCs) 與扇出型封裝玻璃基板之組合，旨在增強先進半導體應用中的電氣性能。本新型專注於改善封裝結構內的電流密度、容量密度、訊號完整性和熱管理。透過將 UTHDSCs 嵌入扇出型封裝玻璃基板的重新分佈層 (Redistribution Layer, RDL) 中或附近，該技術可優化功率分佈並降低寄生電感，使其適用於高頻和高功率電子產品。該新型也解決了與扇出型封裝玻璃基板的機械脆性相關的挑戰，提供了增強封裝結構可靠性。此外，還引入了通孔和互連設計方面的創新，以支援 UTHDSCs 與封裝內其他元件之間的高效電氣路徑。這些改進可實現更穩健、高性能的半導體封裝解決方案，適用於 5G、汽車、航空航太和電力電子領域的應用。將 UTHDSCs 整合到扇出型封裝玻璃基板中代表了一種新穎的方法，可顯著改進電氣和熱性能，使其成為半導體封裝技術的關鍵進步。