摘要
本申请公开了一种用于提高基板利用率的巨量转移方法,包括如下步骤:S 10,对基板进行完整转移场的巨量常规转移,得到剩余基板;S20,对剩余基板进行标记,得到不完整转移场;S30,对不完整转移场进行相互配对,使其形成一个完整转移场;S40,采用直角三角形转移头对任一不完整转移场进行转移,取下发光二极管晶粒,完成后通过移动或旋转直角三角形转移头,将剩余的不完整转移场的发光二极管晶粒转移取下;S50,重复步骤S40,将配对组合好的多个不完整转移场按序进行转移,直至全部完成;本申请提高单张基板的发光二级管利用率,减少损失,解决了因为转移头是方形导致圆形基板圆形周围发光二极管无法转移的问题,从而显著的降低生产成本,提高利用率。
技术关键词
巨量转移方法
发光二极管晶粒
基板
发光二级管
机台
标记
中心对称
尺寸
方形
芯片
系统为您推荐了相关专利信息
LED点胶设备
围挡装置
槽体
移动组件
点胶组件
LTCC工艺
介质基板
中心对称结构
带状线
铜块