消除负载干扰的功率半导体器件结温监测模型建立方法

本发明公开了一种消除负载干扰的功率半导体器件结温监测模型建立方法，该方法采用多元线性回归与矩阵运算相结合的方式，建立一个仅反映温敏电参数与结温之间映射关系的数学模型，消除了负载条件对结温测量的影响，避免了传统方法中因负载变化带来的测量误差。此外，本发明提供的结温模型结合了多个温敏电参数实现对于结温的监测，多个参数综合反应了功率半导体器件在不同工作条件下的热特性，进一步提高了结温监测的准确性。