IGBT开通瞬态电压计算方法及装置
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IGBT开通瞬态电压计算方法及装置
申请号:
CN202410707064
申请日期:
2024-06-03
公开号:
CN118625085A
公开日期:
2024-09-10
类型:
发明专利
摘要
本申请公开了一种IGBT开通瞬态电压计算方法及装置,所述方法包括:计算半桥电路中的漂移区压降;计算半桥电路中的空间电荷区压降;根据所述漂移区压降和所述空间电荷区压降得到所述IGBT器件开通瞬间的IGBT芯片瞬态压降。本申请通过集电极电流的瞬态电流波形计算IGBT开通瞬态的集射极电压,保证IGBT开通瞬态电压计算的准确性。
技术关键词
电压计算方法
半桥电路
IGBT器件
电子
电阻
电流
可读存储介质
芯片
处理器
计算机设备
存储器
波形
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沪ICP备2023015588号