IGBT开通瞬态电压计算方法及装置

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IGBT开通瞬态电压计算方法及装置
申请号:CN202410707064
申请日期:2024-06-03
公开号:CN118625085A
公开日期:2024-09-10
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种IGBT开通瞬态电压计算方法及装置,所述方法包括:计算半桥电路中的漂移区压降;计算半桥电路中的空间电荷区压降;根据所述漂移区压降和所述空间电荷区压降得到所述IGBT器件开通瞬间的IGBT芯片瞬态压降。本申请通过集电极电流的瞬态电流波形计算IGBT开通瞬态的集射极电压,保证IGBT开通瞬态电压计算的准确性。
技术关键词
电压计算方法 半桥电路 IGBT器件 电子 电阻 电流 可读存储介质 芯片 处理器 计算机设备 存储器 波形
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