分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统

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分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统
申请号:CN202410712484
申请日期:2024-06-04
公开号:CN118758875B
公开日期:2025-03-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种分子束外延半导体薄膜生长均匀性原位监测方法及系统,方法包括,获取不同分子束外延生长状态下制备的半导体薄膜的光谱信息和反映半导体薄膜生长均匀性的表征数据,并构建数据库;根据数据库训练得到半导体薄膜生长均匀性识别模型;获取样品表面外延生长的半导体薄膜的实时光谱信息,结合半导体薄膜生长均匀性识别模型,得到分子束外延半导体薄膜生长情况。本发明结合原位监测的薄膜光谱信息结合人工智能算法能够实现半导体薄膜掺杂浓度非接触式、原位在线监测。本发明能够实时采集薄膜的光学特性数据,快速处理大量复杂的光学数据,自动提取特征并进行模式识别高效处理和分析能力,实现对薄膜均匀性的高效实时监测。
技术关键词
外延半导体薄膜 原位监测方法 光谱监测装置 分子束外延设备 测试点 人工智能算法 驱动组件 光源 偏光 原位在线监测 GRU神经网络 探测器 原子力显微镜 样品台 数据 反射光
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