一种深紫外LED芯片及制备方法

本发明提供一种深紫外LED芯片及制备方法，实现反射电极在P型半导体层表平面的大面积覆盖，降低P型欧姆接触层对紫外光的吸收，同时对紫外光进行反射，大幅度提高光提取效率。该芯片沿着生长方向包括衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、电极接触层及金属电极，金属电极包括电极相反的N型电极和反射电极，该芯片沿生长方向的一侧的部分区域暴露出N型半导体层，N型电极位于N型半导体层暴露出区域；电极接触层包括P型欧姆接触层，P型欧姆接触层覆盖于P型半导体层远离衬底的一侧，反射电极部分覆盖于P型欧姆接触层远离衬底的一侧，反射电极部分覆盖于P型半导体层远离衬底的一侧。