探测器件芯片组件、制造方法及其相关设备

本申请提供一种探测器件芯片组件、制造方法及其相关设备，通过本申请制造的探测器芯片组件，可在相邻像元间形成P‑N‑P结，有效避免了传统平面结的载流子在像元之间运动造成的串音大的问题，可以有效减小像元之间的串音，相比台面结能使探测器的暗电流更小，灵敏度更高，将探测器芯片组件与读出电路互联后再与杜瓦进行封装，可形成低串音红外探测器。通过本申请实施例提供的方法制造的探测器芯片组件，具备可以避免由于载流子在像元之间运动造成的串音大的问题的优点，与传统工艺结构相比，本申请的低串音芯片组件结构具有独特的优势，单位面积上可以实现更多个像元的制备，在发展超大规模焦平面方面，该芯片组件结构可以不受串音限制。