组对结构非易失性存储器的制作方法

本发明提供一种组对结构非易失性存储器的制作方法。该制作方法包括：在基底上形成覆盖基底顶面的栅极材料层；在栅极材料层上形成第一介电材料层，第一介电材料层中具有第一开口；在第一开口的侧壁上形成第一侧墙；以第一介电材料层和第一侧墙为掩模，刻蚀栅极材料层形成第二开口；在第二开口和第一开口内填充第三介电材料层；去除第一介电材料层；在第一侧墙露出的侧壁上形成第二侧墙；以第一侧墙、第三介电材料层和第二侧墙为掩模，自对准刻蚀栅极材料层，形成位于第二开口两侧的第一栅极和第二栅极。如此实现了超节点自对准的栅极刻蚀以及组对存储单元两个栅极尺寸上的自对准，有利于缩小存储芯片面积以及提高存储器性能。