硅电容可靠性测试系统

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硅电容可靠性测试系统
申请号:CN202511207902
申请日期:2025-08-27
公开号:CN120928048A
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本申请公开硅电容可靠性测试系统,涉及硅电容检测领域。控制模块接收用户外部输入指令,根据指令控制环境模拟模块和参数测试模块进入对应工作状态;环境模拟模块接收控制模块的控制指令,模拟产生对应的硅电容测试环境;参数测试模块接入有待测硅电容,基于接收控制模块的测试指令,对待测硅电容进行电参数测试和输出测试数据;数据处理分析模块接收和存储测试数据,对测试数据进行统计分析,计算各项参数的统计量,根据设定时间范围内的统计量进行失效分析,确定电容的失效模式。通过集成环境模拟、多参数测试和智能数据分析模块,实现极端环境模拟、高精度参数测量和失效模式识别,具有全面模拟测试环境、提高测试精度和可靠性评估能力的优点。
技术关键词
可靠性测试系统 电容 测试模块 振动控制单元 湿度控制单元 控制模块 输入输出单元 温度控制单元 数据分析单元 数据存储单元 绝缘电阻测试 中央处理器 参数 分析模块 磁悬浮 失效模式分析 模拟测试环境 指令 闭环控制算法 系统工作状态
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