一种优化碳化硅MOSFET开关特性的驱动电路

本发明公开了一种优化碳化硅MOSFET开关特性的驱动电路，属于电力电子技术领域。输入电压VCC经过隔离电源单元隔离变换后，输入到驱动电源单元电平转换后输出碳化硅MOSFET工作所需要的驱动正压和驱动负压；输入电压VIN信号、脉冲信号VPWM以及驱动正压和驱动负压经过驱动信号单元输出碳化硅MOSFET的驱动信号；驱动信号单元和驱动电源单元的输出共同输入串扰抑制单元进行串扰抑制，向碳化硅MOSFET输出开关信号。本发明能够输出稳定的供碳化硅MOSFET开通和关断所需的驱动正压和驱动负压，且不受隔离电源单元输出的电源电压波动的影响，同时能够有效地抑制碳化硅MOSFET串联工作时产生的驱动电压尖峰的上升或下降速度，且响应速度更快。