一种抗分层的QFN封装引线框架

AITNT
正文
推荐专利
一种抗分层的QFN封装引线框架
申请号:CN202410738829
申请日期:2024-06-07
公开号:CN118676100A
公开日期:2024-09-20
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种抗分层的QFN封装引线框架,涉及芯片封装技术领域。一种抗分层的QFN封装引线框架,包括框架基体,形状为方形;基岛,位于框架基体中间,四边均设置有呈锯齿形的连接线;芯片装片区,位于基岛中间,用于填装芯片;引脚,数量有多个,位于框架基体上,多个引脚围绕基岛一圈设置;半蚀刻图案,数量有多个,位于基岛上,多个半蚀刻图案围绕芯片装片区一圈设置。本发明设置有呈锯齿形的连接线和半蚀刻图案,增加了注塑时塑封料与框架基体表面的接触面积,连接线和半蚀刻图案与塑封料之间形成的互锁结构能够有效解决框架基体与塑封料的分层问题,减小了封装应力对引线框架基岛上芯片产生的影响,提高封装的稳定性和可靠性。
技术关键词
封装引线框架 蚀刻 分层 图案 基体 引线框架基 芯片封装技术 方形 互锁结构 沟槽深度 凹槽 间距 十字形 外圈 应力 直线
系统为您推荐了相关专利信息
1
基于知识追踪的学习内容推荐方法及系统
路径分析模型 路径特征 知识地图 推荐学习内容 学习内容推荐方法
2
基于弹性电极的电容式力学传感器、电子皮肤、机器人
力学传感器 数字转换电路 屏蔽电极 电子皮肤 弹性电极
3
多通信模组融合传输方法
通信模组 传输方法 工况参数 主控模块 频段
4
三维模型重现的风险评估方法、装置、设备及介质
风险评估方法 三维模型 视频帧 点云模型 风险评估装置
5
半导体结构及其形成方法
金属布线层 半导体基板 通孔图案 层间介质层 芯片
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号