具有多个再分布层的半导体封装及其制造同样的方法

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具有多个再分布层的半导体封装及其制造同样的方法
申请号:CN202410740177
申请日期:2024-06-07
公开号:CN119181700A
公开日期:2024-12-24
类型:发明专利
摘要
一种半导体封装,包括两个或多个芯片、第一模制层、第二模制层、三模制层、四模制层、底部再分布层(RDL)、中间RDL和顶部RDL。所述两个或多个芯片包括第一芯片和第二芯片。顶部RDL包括第一铜板和第二铜板。多个通孔将第二铜板电连接到第二芯片。一种方法,包括制备两个或多个芯片的步骤;形成芯片级模制层;形成中间RDL;形成下层模制层;形成底部RDL;形成最低级别的模制层;形成顶部RDL;以及形成顶层模制层,以便制造半导体封装。
技术关键词
半导体封装 模制 芯片 铜板 电极 直流降压转换器 通孔 开关 孔洞 下层模具 无引线 电源 功率
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