一种基于压电应力放大的高灵敏度MEMS水听器芯片单元与阵列

本发明属于微机电系统技术领域，提供了一种基于压电应力放大的高灵敏度MEMS水听器芯片单元与阵列。该水听器芯片单元包括由下向上依次设置的SOI基片、下电极、压电层以及上电极；SOI基片、下电极以及压电层上均刻蚀有镂空图案，并形成悬臂梁式结构；经图形化的压电层还包括中央压电片以及压电悬臂；中央压电片呈圆片状，位于压电层的中心；压电悬臂呈圆弧状，设置有多个且呈等间距布置于中央压电片的周圈位置；上电极正区和上电极负区均设置于压电层上。本发明通过设计悬臂梁结构，放大了压电悬臂的应力，增大了压电层的应变；本发明通过设计合理的单元以及阵列的电极排布，避免了正负采集电荷中和，增加了采集电势，提高了声学芯片阵列的灵敏度。