管壳组件及半导体封装结构

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管壳组件及半导体封装结构
申请号:CN202410741465
申请日期:2024-06-07
公开号:CN118610168B
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种管壳组件及半导体封装结构,其中,管壳组件包括具有第一热膨胀系数的第一电极、具有第二热膨胀系数的过渡环结构以及具有第三热膨胀系数的第一法兰环结构,过渡环结构位于第一电极的周侧边缘,第一法兰环结构固定连接于过渡环结构朝向第一电极的一侧表面;第二热膨胀系数介于第一热膨胀系数和第三热膨胀系数之间。本申请在提高散热能力的基础上降低了管壳组件制造时的热应力失配,提高了管壳密封的可靠性,在确保气密性合格的基础上提高了半导体器件以及半导体封装结构的使用寿命。
技术关键词
半导体封装结构 过渡环 管壳 电极 法兰 半导体芯片 金属材料 无氧铜 可伐合金材料 钼铜合金 钨铜合金 半导体器件 金属镍 平面度 金刚石 底座 基础
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