一种超晶格红外探测器芯片制作方法

本发明提供了一种超晶格红外探测器芯片制作方法，属于红外探测器制作技术领域；解决了当前去除硬掩膜的方案，未考虑到去除硬掩膜时光刻工艺的精度波动，导致产品性能低或产品良率低的问题；包括以下步骤：硬掩膜成膜：在超晶格材料的晶圆表面生长一定厚度的硬掩膜；上电极台面光刻；硬掩膜刻蚀：以光刻胶做掩膜，采用ICP技术刻蚀硬掩膜得到上电极台面掩膜图形；上电极台面去胶清洗；下电极台面光刻：采用光刻胶作为下电极台面区域的掩膜，通过光刻技术制作下电极台面区域；台面ICP刻蚀；台面湿法腐蚀；下电极台面去胶清洗；钝化层成膜；钝化层开孔；金电极制作；本发明应用于超晶格红外探测器芯片制备。