一种电吸收调制半导体激光器及其制备方法和应用

本发明提供了一种电吸收调制半导体激光器及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明中电吸收调制半导体激光器沿水平方向包括依次设置的DFB发光区和EA电吸收调制区；所述DFB发光区沿竖直方向包括依次设置的第一功能层、量子阱层、第二功能层、光栅层和第三功能层；所述光栅层包括靠近EA电吸收调制区的L1区光栅和远离EA电吸收调制区的L2区光栅；所述L1区光栅和L2区光栅的长度比为60～80：200～500；所述L1区光栅的耦合系数不低于L2区光栅的耦合系数的1.2倍。本发明所得电吸收调制半导体激光器的光学性能好，发光模式稳定，LIV曲线无扭折无跳模，同时工艺简单，易于实现。