一种长寿命低腐蚀芯片光刻胶清洗液及其制备方法与应用

本发明涉及一种长寿命低腐蚀芯片光刻胶清洗液及其制备方法与应用。所述长寿命低腐蚀芯片光刻胶清洗液，按照重量份计算，包括如下组分：有机强碱5‑15份；有机溶剂50‑80份；保护剂0.5‑2份；醇胺10‑30份；超纯水30‑50份。本发明采用生物碱作为有机强碱，通过生物碱和醇胺的组合协同增效实现清洗效果增强，提高光刻胶的清洗效率。本发明通过采用烷基亚砜类有机溶剂和磺酰唑类保护剂的组合，对金属具有较小的腐蚀速率。采用本发明的清洗液清洗芯片，无需超声处理，仅经过浸泡或喷淋即可除去基材上的各种杂质，去污效果干净彻底，无污染物残留。