优化评估光刻聚焦defocus start平面的方法

本发明提供一种优化评估光刻聚焦defocus start平面的方法，方法包括：提供一晶圆，并于晶圆的表面由光阻形成不同种类的光栅图形；选取多种不同光栅图形，分别量测各光栅图形的光刻胶在不同厚度阈值下的关键尺寸，以得到关键尺寸与厚度阈值的线性关系；确定建立OPC模型数据所采用的模型厚度阈值，对于同一关键尺寸，模型厚度阈值与线性关系中的厚度阈值一致；将晶圆在量测位置做切片，并量测各光栅图形的光阻厚度；根据光阻厚度及线性关系得到defocus start平面位置。通过本发明解决了现有的defocus start参数进行全局优化时，因运行时间长、优化结果缺乏物理意义而对OPC模型的精确性产生影响的问题。