适用于GaN功率器件的半桥驱动芯片设计工艺

本发明公开了适用于GaN功率器件的半桥驱动芯片设计工艺，属于芯片设计工艺技术领域，预设三个阶段的初始脉宽，在芯片上电时，在上管开通的每一周期驱动芯片都会进行两次采样，两次采样结束后，根据采样电压的结果进行脉宽的自适应调节，进行自适应死区时间优化，进行上管栅源电压限制，进行驱动芯片设计，高精度可变脉宽产生模块设计，比较强电路结构以及锁存器设计，预放大器设计，进行仿真检测。