指向性发光的Micro-LED倒装芯片及其制备方法

本发明涉及一种指向性发光的Micro‑LED倒装芯片及其制备方法，Micro‑LED倒装芯片包括硅基板和发光单元，发光单元包括依次堆叠的第一钝化层、DBR反射层、n‑GaN层、蓝光多量子阱层、p‑GaN层、ITO电流扩展层和第二钝化层，本发明先通过刻蚀、清洗后形成自所述ITO电流扩展层延伸至所述n‑GaN层的发光台面阵列，第二钝化层包覆于发光台面阵列；然后经过多次光刻在第二钝化层的不同位置形成反射电极结构，包括P‑Pad反射电极层、N‑Pad反射电极层和侧壁反射电极层。本发明通过控制发光台面的预设尺寸、增加反射电极结构和顶部DBR反射层，有效提高Micro‑LED倒装芯片光效、实现垂直于发光台面方向的指向性出光。