一种LED芯片制备方法及LED芯片

本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，通过对N型GaN层表面进行处理，具体的，将黄光工艺后暴露出N型GaN层的晶圆进行ICP刻蚀，ICP刻蚀分为两次刻蚀，首先通入氩气进行快速刻蚀，然后通入氩气和氧气的混合气体再进行刻蚀；将刻蚀后的晶圆放入酸性溶液中浸泡，后进行清洗；将清洗后的晶圆进行Al金属蒸镀，沉积N电极金属层，其中，通过氩气和氧气处理N型GaN层表面，可以显著降低N型GaN层和金属Al的接触电阻，且不产生额外的附属产物，另外，该工艺不仅可以降低LED芯片的电压，还可以提高LED芯片的亮度。