半导体器件及其制备方法、电子器件

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子器件，涉及半导体芯片技术领域，旨在减少半导体器件的驱动损耗。该半导体器件包括：衬底、沟道层、势垒层、P型GaN层和第一栅金属层，沟道层位于衬底的一侧，势垒层位于沟道层远离衬底的一侧，P型GaN层位于势垒层远离衬底的一侧，第一栅金属层位于P型GaN层远离衬底的一侧；其中，半导体器件还包括：第二栅金属层，第二栅金属层包覆第一栅金属层以及P型GaN层远离衬底的部分，且第二栅金属层和势垒层之间设置第一钝化部。上述半导体器件应用于功率器件中，以实现增强的栅极控制能力。