一种基于拓扑优化设计的抗过载压力传感器芯片及其制备方法

一种基于拓扑优化设计的抗过载压力传感器芯片，属于压力传感器技术领域。抗过载压力传感器芯片包括n型单晶硅元件和与其通过阳极键合的玻璃衬底，n型单晶硅元件的背部开设空腔，与玻璃衬底紧密贴合形成密闭空腔；密闭空腔的顶壁面设有由薄膜正面结构层和薄膜层组成的膜片感压结构，其中薄膜结构层由n型单晶硅元件正面经干法刻蚀形成，薄膜层由n型单晶硅元件背面经干法刻蚀空腔后形成。本发明通过拓扑优化对敏感膜片结构层进行设计来提高压力传感器的过载能力，制备工艺简单、不额外增设过载机构，有利于批量化生产，能够解决现有传感器抗过载能力不足、只能实现单向过载、工艺制程复杂和不利于大批量化生产的问题且灵敏度可满足使用要求。