防扩散的半导体缺陷定位方法

本发明提供一种防扩散的半导体缺陷定位方法，包括：提供一具有短接缺陷的样品；获取短接的两条位线地址，找到短接的两条位线；确定样品的窗口区域，使窗口区域覆盖短接的两条位线的至少部分；对窗口区域进行刻蚀直至金属层完全裸露；在窗口区域沉积氧化物层；在窗口区域内，对金属层上短接的两条位线以外的区域进行电性测试；若电性测试的结果表明未漏电，则去除氧化物层；对短接的两条位线进行热点抓取；对样品芯片去层并逐层观察热点的位置有无异常，若有异常，则寻找短接缺陷的位置。本发明可以防止样品的金属层在转移到纳米探针台的过程中因接触空气而发生扩散，排除了因扩散现象造成的电性测试干扰，使后续的短接缺陷定位工作能继续进行。