一种芯片结构、热导型氢气传感器及其制作方法

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一种芯片结构、热导型氢气传感器及其制作方法
申请号:CN202410777220
申请日期:2024-06-17
公开号:CN118501216A
公开日期:2024-08-16
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种芯片结构、热导型氢气传感器及其制作方法,涉及热导型氢气传感器技术领域,包括衬底、绝缘层、固定在绝缘层内的金属电阻丝和阻氢层,绝缘层架空设置在衬底的上方并形成悬膜区,金属电阻丝位于悬膜区内;阻氢层设置在绝缘层的上下两侧且金属电阻丝沿上下方向的投影全部落在阻氢层内;阻氢层能够导热且用于阻碍氢原子渗透到金属电阻丝。本发明的芯片结构能够有效阻挡氢原子渗透到金属电阻丝,从而避免金属电阻丝劣化,有效提高器件的使用寿命并保证器件的测量精度。
技术关键词
芯片结构 电阻丝 氢气传感器技术 衬底 气相沉积方法 氧化铝材料 导热 层叠 包裹 精度
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