一种高速率宽光谱响应光电探测器、外延结构及其制备方法

本发明提出了一种高速率宽光谱响应光电探测器、外延结构及其制备方法，涉及光电芯片制造加工领域。该外延结构包括在衬底上依次生长的‌InP缓冲层、‌InxGayAs缓冲层、‌Inx1Gay1As缓冲层、‌N‑Inx2Gay2As接触层、‌Inx2Gay2As本征层、‌InGaAsP过渡层和‌P‑Inx2Gay2As接触层；x+y=1，x1+y1=1，x2+y2=1。含有该外延结构的芯片的响应波长覆盖850nm‑1650nm，其响应速度快，响应的波长宽。