摘要
本发明公开了一种半导体封装结构及方法,该封装方法包括:提供一陶瓷基板;对陶瓷基板的其中一侧表面进行金属化处理,得到第一导电区域与第二导电区域;在第一导电区域与第二导电区域之间陶瓷基板的裸露表面,以及相互靠近的至少部分区域的表面制作第一绝缘材料层;分别设置控制芯片单元与IGBT芯片单元并进行并联;在第一绝缘材料层上制作第二绝缘材料层,使第二绝缘材料层将金属导线包裹;对第一绝缘材料层与第二绝缘材料层进行固化,得到形成于第一导电区域与第二区域之间将金属导线包裹的绝缘体。本发明解决了现有技术中无法在避免电流击穿与提升功率密度这两者之间找到平衡点,最终使得模块的功率密度无法进一步提升的问题。
技术关键词
绝缘材料
半导体封装方法
陶瓷基板
导电
IGBT芯片
半导体封装结构
控制芯片
掩膜板
导线
绝缘体
包裹
金属化
功率芯片
涂覆
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