去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质

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正文
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去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质
申请号:CN202410781810
申请日期:2024-06-17
公开号:CN118798108A
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质,涉及芯片技术领域,方法包括:获取物理设计模块的空白区域,以及获取各去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数;根据空白区域内不同位置的动态压降情况,将空白区域划分为多个子区域;根据各去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数,从各去耦合电容标准单元中筛选出分别与各子区域匹配的多个去耦合电容标准单元集合;采用各子区域匹配的去耦合电容标准单元集合对各子区域进行去耦合电容标准单元插入操作。基于本申请的方案对物理设计模块进行去耦合电容标准单元的插入后,可以使得得到的物理设计模块的设计效果更好。
技术关键词
去耦合电容 标准单元 漏电流 动态 参数 策略 模块 可读存储介质 物理 处理器 程序 存储器 计算机 电子设备 基础 功耗 芯片
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