一种光电探测器及其制造方法

本发明涉及集成光学技术领域，公开了一种光电探测器，包括入射波导、分光器和多个锗探测器，多个锗探测器并联且均设于分光器上，每个锗探测器均包括锗吸收区，锗吸收区在垂直方向上位于分光器的上方，锗吸收区在水平方向上与分光器的一个分光点对应，锗吸收区与对应的分光点的中心的距离不大于预设值。利用分光器的分光能力，使分配到每个探测器的光强降低，让多个锗探测器拥有更短的吸收长度，吸收层内光场分布更加均匀，改善了器件非线性，同时保留了高速特性。并且使通过分光器产生的多个光信号在分光点处光耦合进入锗吸收区，提高响应率，减少独立的分光结构，将分光结构和探测器在空间上结合，减少整体的空间，有利于硅光子芯片高密度集成。