用于芯片设计中冗余金属填充的方法、装置和设备

本发明涉及芯片设计技术领域，公开了一种用于芯片设计中冗余金属填充的方法、装置和设备，前述的方法包括：获取芯片的初始时序信息和芯片的金属密度；在芯片的目标区域，添加冗余金属，目标区域为芯片的金属密度未达到预设要求的区域；获取添加冗余金属后的芯片的第二时序信息；基于初始时序信息和第二时序信息，获取时序差值大于预设阈值的芯片路径，在芯片路径处标记第一阻碍层，第一阻碍层为后续不添加冗余金属的空间，继续添加冗余金属并标记第一阻碍层，直至芯片的金属密度达到预设要求。满足对芯片填充冗余金属密度要求的同时，最大限度地减少冗余金属的添加，减少了添加的冗余金属对芯片时序的影响，降低了后期芯片的修复难度。