半导体装置

一种半导体装置，包括：第一衬底，其掺杂有第一导电类型的杂质；第一阱区，其形成在第一衬底中并且掺杂有不同于第一导电类型的第二导电类型的杂质；第一保护带，其在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸，位于第一阱区中，并且掺杂有第二导电类型的杂质；第二保护带，其面对第一保护带，位于衬底中，并且掺杂有第一导电类型的杂质；第一电极结构，其电连接到第一保护带；第二电极结构，其电连接到第二保护带；以及第一绝缘层，其位于第一电极结构和第二电极结构的侧壁上，第一电极结构、绝缘层和第二电极结构提供电容器。