一种基于虚拟平面的NAND闪存管理方法

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一种基于虚拟平面的NAND闪存管理方法
申请号:CN202410792517
申请日期:2024-06-19
公开号:CN118819405A
公开日期:2024-10-22
类型:发明专利
摘要
本发明涉及NAND闪存技术领域,具体是一种提高NAND闪存写入效率并充分利用存储空间的管理方法。一种基于虚拟平面的NAND闪存管理方法,包括如下方法:1)虚拟多平面块合成:将多个单平面块合成一个虚拟的多平面块,形成一个可以被FTL以多平面块方式管理的单元,这种组合的映射信息存储在SRAM表格中,以便底层硬件可以访问和解析。2)FTL算法的适配。3)底层硬件操作:当FTL请求写入或读取特定的虚拟多平面块中的数据时,底层硬件将负责查询SRAM表格,以确定相应的单平面块,然后硬件将按照单平面的读写操作来逐一对这些块进行处理。通过以上技术方案,本发明提高了NAND闪存的好块利用率,而且通过智能化的虚拟化策略,简化了存储管理流程,增强了整个系统的性能和可靠性。
技术关键词
闪存管理方法 NAND闪存 表格 算法 逻辑 数据 存储器 策略 动态 物理 接口 关系
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