一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法

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一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法
申请号:CN202410794598
申请日期:2024-06-19
公开号:CN118763007B
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法,包括以下步骤:将光感芯片与基底压合在一起;对光感芯片正面刻孔,将光感芯片Pad暴露,布线;对光感芯片的切割道包边,在光感芯片正面植球,切割得到芯片a;将芯片a固定在硅槽内;在芯片a表面形成干膜,其表面形成第二金属重布线层;倒装贴装芯片b,通过塑封材料包封;在塑封材料表面形成TMV通孔、TMV槽;在芯片b上固定芯片c;在塑封材料表面作业第三金属重布线层,植球;将硅片减薄,使基底暴露。本发明实现三层芯片堆叠并导通,实现高密度3D封装,缩短芯片之间的电信号传导路径,加快光电传输速率,封装过程不影响光感芯片的光电动作区域,避免光耦合区域污染。
技术关键词
集成封装结构 重布线层 存储芯片 粘性材料 基底 芯片堆叠 激光打孔技术 硅片 斜孔结构 CMP工艺 逻辑 焊盘表面 电镀方式 光信号 正面 干膜 双面
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