摘要
本发明公开一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法,包括以下步骤:将光感芯片与基底压合在一起;对光感芯片正面刻孔,将光感芯片Pad暴露,布线;对光感芯片的切割道包边,在光感芯片正面植球,切割得到芯片a;将芯片a固定在硅槽内;在芯片a表面形成干膜,其表面形成第二金属重布线层;倒装贴装芯片b,通过塑封材料包封;在塑封材料表面形成TMV通孔、TMV槽;在芯片b上固定芯片c;在塑封材料表面作业第三金属重布线层,植球;将硅片减薄,使基底暴露。本发明实现三层芯片堆叠并导通,实现高密度3D封装,缩短芯片之间的电信号传导路径,加快光电传输速率,封装过程不影响光感芯片的光电动作区域,避免光耦合区域污染。
技术关键词
集成封装结构
重布线层
存储芯片
粘性材料
基底
芯片堆叠
激光打孔技术
硅片
斜孔结构
CMP工艺
逻辑
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